Samsung phát triển DDR5 DRAM 12 nm, tốc độ đến 7200 MT/s

[nguoiduatinabc]

Samsung Electronics phát triển các chip nhớ DDR5 DRAM trên tiến trình 12 nm. Dung lượng 16 Gb (2 GB) mỗi chip. Chip nhớ mới cũng đã trải qua các đánh giá để xác thực khả năng tương thích và tối ưu cho nền tảng AMD Zen.

Tiến bộ mới trong sản xuất DDR5 DRAM 12 nm đạt được nhờ sử dụng vật liệu high-κ, hỗ trợ tăng cường điện dung của các cell, kết hợp cùng công nghệ thiết kế độc quyền, cải thiện các đặc tính của mạch điện chủ chốt.



Kỹ thuật quang khắc cực tím EUV cũng giúp chip DRAM mới có mật độ cao nhất trong ngành, đồng thời năng suất bán dẫn cũng tăng 20%. Chip nhớ Samsung DDR5 DRAM 12 nm có tốc độ đến 7200 MT/s, tiết kiệm điện năng và hiệu năng cao hơn 23% so với thế hệ trước.

Samsung sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ DDR5 DRAM ứng dụng tiến trình 12 nm vào đầu năm sau. Những sản phẩm sử dụng DDR5 DRAM mới cũng bắt đầu xuất hiện trên thị trường từ Q4/2023.